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塩飽 秀啓
放射光, 10(2), p.69 - 72, 1997/04
SPring-8等の第三世代大型放射光施設では、挿入光源、特にアンジュレータ光源が主体となる。今までに経験したことのない程、大強度の放射光の位置を常時モニターすることは、精密実験を行う利用者側からだけでなく、挿入光源の調整や最適化、蓄積リングの低エミッタンス運動など、光源側や蓄積リング側からも求められている。今回、カーボンワイヤー型光モニターを開発し、高エネ研トリスタン主リングの放射光ビームラインに設置して基礎的な性能評価を行った。その結果、10GeV,10mAという条件下で、挿入光源放射光のプロファイルに位置を測定できた。このX線用光モニターでは、挿入光源のギャップ値変更による光のプロファイル変化にも対応でき、放射光の重心を測定することで、光の中心位置を検知することができた。また、後方の利用実験に影響を与えることなく、常時測定できることがわかった。
馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (14), P. 423, 1996/00
Si(100)単結晶表面にSiOの超薄膜を生成させる新しい方法を提案するとともに、SiO層の化学結合状態と膜厚を放射光光電子分光法により測定した。方法は以下の通りである。(1)Si(100)を真空中で80Kに冷却する。(2)テトラメトキシシランを300層吸着させる。(3)Si(100)基板を0.5C/secの速度で400Kまで加熱する。この方法で得られた酸化層の化学状態はSiOであること、SiO層の膜厚は0.3nmであることを明らかにした。